全球首个大规模小间距微光电芯片项目落户鄂州

　　4月26日，鄂州市发改委官网发布，全球首个大规模小间距微光电（Mini/Micro LED）芯片项目落户鄂州葛店经济开发区，总投资120亿元。

　　微发光二极管体积是目前主流LED的1%，其优势在于既有高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，又有自发光特性，易实现节能效果。据介绍，该项目占地700亩，由三安光电股份有限公司投资建设，并将得到国家集成电路产业大基金和湖北省长江产业基金的支持，项目建设周期3.5年，一期工程2年内投产。

　　三安光电葛店基地项目建成达产后，将形成年产Mini　LED芯片210万片、Micro　LED芯片26万片的研发制造能力，产品主要提供给三星、华为、苹果等全球知名公司。

　　目前，鄂州市正协调各有关部门做好服务工作，确保三安光电葛店基地项目尽快投产达效。中电时空信息技术研究院有关专家表示，该项目是全球首个大规模基于第三代半导体、代表新型显示产业方向的光电芯片项目，对推动湖北乃至国家光电信息产业发展具有重要意义。（湖北日报记者戴劲松）