长江存储发布的全球首款128层QLC闪存芯片。（长江存储供图）

　　4月13日，长江存储最新128层QLC 3D NAND闪存芯片“X2-6070”，宣布在武汉光谷研发成功，这是全球首款128层QLC闪存。目前，该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证，有望2020年下半年或2021年上半年量产。

　　长江存储直接越过了96层技术，从64层芯片直攻128层，“弯道超车”，技术跨度巨大，引发业内极大关注。

　　3D NAND即三维闪存技术。过去，人们用到的存储芯片是平面的，类似地面停车场，而三维闪存芯片是立体的，如同立体停车场。同样的“占地面积”，立体芯片能够容纳多倍数据量。

　　尽管这枚存储芯片仅指甲盖大小，却内藏乾坤，拥有3665亿个“细胞”——存储单元。QLC是继TLC后，三维闪存新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读密集型应用。TLC的每个“存储细胞”可存3bit数据，而QLC的每个“存储细胞”能存4bit数据。这些“存储细胞”加起来，能让一枚芯片的存储容量达到惊人的1.33Tb，相当于1362Gb。

　　得益于“存储细胞”的不断扩容，以及这些“细胞”之间独特的Xtacking架构布局，此次领先业界发布的128层闪存芯片，拥有业界最高的存储密度、传输速度和单颗闪存芯片容量。

　　2018年底，长江存储第一代32层三维闪存芯片量产。2019年9月，首次基于Xtacking架构的64层三维闪存芯片量产。随着自主Xtacking架构全面升级至2.0，进一步释放了三维闪存的潜能，128层QLC闪存芯片得以快速突破。

　　“从64层芯片量产至128层芯片问世，仅用7个月，还有一半时间是在疫情之中。”长江存储首席执行官杨士宁表示，作为闪存行业的新进入者，长江存储仅用3年时间，就将中国三维存储芯片推向了128层的高度。“这是数千名研发人员汗水的凝聚，也是全产业上下游通力协作的成果。”

　　长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示，长江存储以32层技术切入时，与主要竞争对手存在四五年的差距。64层技术突破后，差距缩短至两年。128层芯片的问世，已可与3D NAND国际大厂比肩。

　　据介绍，该闪存将率先在大容量U盘、闪存卡和固态硬盘中普及，并广泛用于AI计算、机器学习、实时分析和大数据读取等领域。（湖北日报记者李墨、通讯员华健）